PSRAM也叫偽靜態隨機存儲器，它對外呈現的是類SRAM的接口協議：只要給出地址、發起讀或寫命令，就能直接完成數據存取，完全不需要像DRAM那樣依賴內存控制器進行周期性的刷新操作。這使得PSRAM在硬件連接和控制邏輯上都相當簡潔。
 

以英尚代理偉凌創芯EMI推出的EMI132LA16LM-70I為例，這款psram芯片采用2M x 16的組織架構，總容量達到32Mb，工作電壓穩定在2.7V~3.3V，讀寫速度為60~70ns，封裝形式為48-ball BGA，非常適合作為MCU的外擴內存。它的內部存儲單元卻采用了DRAM的架構——也就是1T1C（一個晶體管加一個電容）構成一個存儲單元，而傳統SRAM需要6個晶體管才能實現同樣的功能。正是這種“DRAM核心+SRAM接口”的混合設計，讓PSRAM偽靜態存儲器在繼承DRAM高密度、低成本優勢的同時，又保留了SRAM使用方便的特點。
 

psram偽靜態存儲器EMI132LA16LM-70I優勢

第一，高密度與低成本。由于采用了DRAM的單元結構，同樣芯片面積下，PSRAM能夠實現遠大于SRAM的存儲容量，而且單位容量的成本明顯低于同等規格的SRAM。
 

第二，接口簡單，易于集成。PSRAM的并行接口與SRAM幾乎完全兼容，不需要額外的DRAM控制器，對于習慣使用標準并口的MCU、DSP或SoC來說，幾乎可以像外掛SRAM一樣直接使用，大幅降低了硬件設計和軟件驅動的復雜度。
 

第三，待機功耗控制出色。PSRAM內部集成了自刷新電路，當主處理器進入睡眠或低功耗模式時，PSRAM能夠自行維持數據不丟失，系統整體功耗得以顯著降低。這一特性在電池供電的便攜設備、物聯網傳感器節點等場景中尤其重要。