EM68C16C是一款采用CMOS工藝的高速DDR2 SDRAM，數(shù)據(jù)位寬為16位，總?cè)萘繛?Gbit。其內(nèi)部架構(gòu)由8個獨(dú)立存儲體（Bank）組成，基于“8 Bank×8Mb地址×16位I/O”的組織方式，能夠有效支持并行訪問操作。EM68C16CWQG-25H芯片完全遵循JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，供電電壓VDD和VDDQ均為1.8V±0.1V（SSTL_18兼容），工作溫度范圍為0~85℃（商用級），適用于大多數(shù)電子設(shè)備環(huán)境。
 

 

　　這款DDR2 SDRAM存儲器支持全同步操作，采用差分時鐘輸入（CK和CK#），所有控制和地址信號在差分時鐘的交叉點(diǎn)（CK上升沿與CK#下降沿）被鎖存。DDR2 SDRAM存儲器數(shù)據(jù)讀寫通過雙向選通脈沖（DQS和DQS#）與源同步時鐘配合，實(shí)現(xiàn)了高速率傳輸。EM68C16CWQG-25H最高支持533MHz時鐘速率，對應(yīng)DDR2-1066等效帶寬，滿足主流嵌入式應(yīng)用需求。
 

 

　　在延遲方面，DDR2 SDRAM存儲器支持可編程的附加延遲（AL，范圍0~6），寫延遲為讀延遲減1個時鐘周期。突發(fā)長度可選4或8，突發(fā)類型支持順序和交錯兩種模式。EM68C16CWQG-25H DDR2 SDRAM存儲器集成了片外驅(qū)動器（OCD）阻抗調(diào)整與可調(diào)數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動強(qiáng)度，以及片內(nèi)端接（ODT），有效改善了信號完整性。EM68C16CWQG-25H采用84球FBGA封裝，尺寸僅為8mm×12.5mm，最大厚度1.2mm，符合RoHS且無鉛無鹵素，環(huán)保合規(guī)。DDR2 SDRAM自動刷新和自刷新能力配合8192個刷新周期/64ms的參數(shù)，保障了數(shù)據(jù)保持可靠性。

 

本文關(guān)鍵詞：DDR2 SDRAM
 

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